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Intel實(shí)現(xiàn)內(nèi)存硬盤(pán)合體

時(shí)間:2023-02-20 12:12:40 硬件維護(hù) 我要投稿
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Intel實(shí)現(xiàn)內(nèi)存硬盤(pán)合體

  Intel和美光在7月份的時(shí)候正式宣布了3DXPoint技術(shù),這種基于電阻非易失性內(nèi)存存儲(chǔ)方案,理論速度可以比如今的固態(tài)硬盤(pán)快千倍。當(dāng)然,不能指望新技術(shù)一眼之間就改變現(xiàn)有產(chǎn)品的面貌,Intel宣布年底推出的首個(gè)3DXPoint技術(shù)Optane固態(tài)硬盤(pán),目前的測(cè)試水平為傳統(tǒng)固態(tài)硬盤(pán)的5-7倍。

  初步判斷,Optane的首批規(guī)格應(yīng)該是采用PCIExpress3.0x4接口,帶寬4GB/s(32Gbps),保持與現(xiàn)有的數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器兼容。

  不過(guò),更重要的是,3DXPoint統(tǒng)一了DRAM內(nèi)存和SSD,即把非易失性技術(shù)應(yīng)用于系統(tǒng)內(nèi)存制造NVDIMMs,俗稱(chēng)內(nèi)存硬盤(pán)合體。

  英特爾即將推出的至強(qiáng)E5V4“Broadwell-EP”處理器有高達(dá)22核心,且正式支持PC4-19200(2400MHz的DDR4)的內(nèi)存,最高提供的帶寬達(dá)到19.2GB/秒。從理論上講,3DXPointNVDIMMs可以提供類(lèi)似的帶寬,但I(xiàn)ntel表示,由于接口的限制,最高只能到6GB/秒。

  要知道,Intel想把這樣的內(nèi)存投放市場(chǎng),必須符合JEDEC為了保證SSD平臺(tái)兼容性修訂的相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn),DDR4只好妥協(xié),其實(shí)人家潛在能量還是很大的。

  英特爾與美光現(xiàn)在堅(jiān)信,3DXPointDIMM憑借獨(dú)特優(yōu)勢(shì)即極端的讀寫(xiě)速度,更高的可靠性(相比NAND)和大規(guī)模高密度,今后會(huì)在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)中占到很重要的地位。

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